EMI抑制コンデンサ
B32922P3224M289
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寸法
幅(w) |
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高さ(h) |
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長さ(l) |
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リード間隔(e) |
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その他詳細 |
電気的特性
静電容量 |
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実効電圧 [AC] |
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電圧上昇率 |
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その他詳細 |
その他
誘電体(形式) |
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設計 |
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ノイズ制御クラス |
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AEC-Q200 |
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THBテスト性能 |
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備考 |
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梱包形態 |
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その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X5R1A474K080AA
Capacitance=0.47μF
Edc=10V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7R1H224K080AB
Capacitance=0.22μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200

EMI抑制コンデンサ
B32026A3824M003
0.82uF, 300Vrms AC
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EMI抑制コンデンサ
B32921C3103M189
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)

EMI抑制コンデンサ
B32922C3154M000
0.15uF, 305Vrms AC
6m(W) x 12m(H) x 18m(L)

EMI抑制コンデンサ
B32922C3154M189
0.15uF, 305Vrms AC
6m(W) x 12m(H) x 18m(L)

EMI抑制コンデンサ
B32932A3104K289
0.1uF, 305Vrms AC
6m(W) x 11m(H) x 18m(L)

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0350K062
Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=95V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0600K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=85V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=165V