インダクタ(コイル)
MLF2012DR18KT000
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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推奨ランドパターン(A) |
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推奨ランドパターン(B) |
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推奨ランドパターン(C) |
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電気的特性
インダクタンス |
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定格電流(L変化による) [Typ.] |
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定格電流(L変化による) [Max.] |
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定格電流(温度上昇による) [Typ.] |
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定格電流(温度上昇による) [Max.] |
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直流抵抗 [Typ.] |
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直流抵抗 [Max.] |
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定格電圧 [Max.] |
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自己共振周波数 [Min.] |
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自己共振周波数 [Typ.] |
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Q [Min.] |
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Q [Typ.] |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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FIT (Failure In Time) |
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製品情報
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X8R1H103K050BB
Capacitance=10nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X8R1E334K080AC
Capacitance=0.33μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H102J080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H330J080AA
Capacitance=33pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H102K080AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R2A102K080AA
Capacitance=1nF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EAC0G2A472J080AC
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200

インダクタ(コイル)
MLF1608A1R0KTD25
L=1μH
Rated current=50mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm

インダクタ(コイル)
MLG0603S1N0BTD25
L=1nH
Q=4
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm

インダクタ(コイル)
NLCV32T-100K-PF
L=10μH
DC Resistance=0.468Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm