IGBT/FET用トランス
VGT15EFD-200S3A6
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 出力数 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E685M160AC
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1E685K250AB
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200
DCリンク用コンデンサ
B32776G0126K000
12uF, 1100V DC
20mm(W) x 39.5mm(H) x 41.5mm(L)
インダクタ(コイル)
MHQ0603P3N3BTD25
L=3.3nH
Q=16
L x W x T :
0.65 x 0.35 x 0.35mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500X8250L160
Maximum continuous voltage=32V
Maximum Clamping Voltage (@ 1 A)=120V
突入電流防止PTCサーミスタ
B59752C0120A070 (C752_ICL)
Max. operating voltage=280V AC
Rated resistance=80Ω
IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.8:3.3
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-250S4A7
Flyback transformer (Centralized), 4 outputs
2.6μH, TR=1:3:3:3:3:3
