EMI抑制电容器
B32021H3332K003
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J1X8L1E475K125AC
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
High Temp. (Up to 150ºC)
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J3X7R1V105K125AB
Capacitance=1μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L3X7R1H475K160AB
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
圆板型带导线电容器(中高压陶瓷电容器)
CS45-E2GA472M-NKA
Capacitance=4.7nF
Edc=400Vac
T.C.=E
DxT: 11x5mm ,F: 7.5mm
Safety Standard approved
Halogen-free
EMI抑制电容器
B32021A3102K000
0.001uF, 300Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM6530T-2R2M-HZ
L=2.2μH
Rated current=8.4A
L x W x T :
7.1 x 6.5 x 3mm
浪涌放电管
B88069X8691S102
2 electrodes Arresters
Nominal DC sparkover voltage = 3300V
嵌入式控制器
HVC5223C
3 Integrated Half-Bridges
High-Performance 32-Bit Arm®
Cortex®-M3 Core
