EMI抑制电容器
B32922P3333K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
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电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C1005CH1H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=CH
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
C1005NP01H080D050BA
Capacitance=8pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
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General
积层贴片陶瓷片式电容器
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EMI抑制电容器
B32022J3223K000
0.022 µF, 300 V rms AC
7.0m(W) x 12.5m(H) x 18.0m(L)
EMI抑制电容器
B32921C3103M000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制电容器
B32922P3104K000
0.10uF, 350Vrms AC
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缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32641B6103J000
0.01uF, 630V DC
4mm(W) x 9mm(H) x 13mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF12555T-4R7N
L=4.7μH
Rated current=5.3A
L x W x T :
12.5 x 12.1 x 5.5mm
片式磁珠
MPZ2012S102AT000
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=1.5A
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
