EMI抑制电容器
B32923M3185M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L1X7T0G476M160AC
Capacitance=47μF
Edc=4V
T.C.=X7T
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
圆板型带导线电容器(中高压陶瓷电容器)
CS95ZU2GA332MAVKA
Capacitance=3.3nF
Edc=400Vac
T.C.=Z5U
DxT: 12x7mm ,F: 7.5mm
AEC-Q200
Safety Standard approved
Halogen-free
EMI抑制电容器
B32922M3105M000
1.00uF, 305Vrms AC
11m(W) x 18.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3185M189
1.8uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 22.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3185M289
1.8uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 22.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923N3225M000
2.2uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 29.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32924P3475M000
4.7uF, 350Vrms AC
18m(W) x 33m(H) x 31.5m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF2012C680KTD25
L=68μH
Rated current=2mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM12565VT-1R5M-D
L=1.5μH
Rated current=22.3A
L x W x T :
13.0 x 12.5 x 6.5mm
片式磁珠
MPZ1608S102ATD25
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=0.8A
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
