EMI抑制电容器
B32923M3225M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA1A2C0G1E180J030BA
Capacitance=18pF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32922M3824M000
0.82uF, 305Vrms AC
11m(W) x 18.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3225K000
2.2uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 29.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3225M003
2.2uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 29.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3824M003
0.82uF, 305Vrms AC
8.5m(W) x 16.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B81123C1222M000
0.0022uF, 500Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
直流链路用电容器
B32716H1455J000
4.5uF, 1100 V DC
24.0mm(W) x 19.0mm(H) x 42.0mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM6545VC-470M-D
L=47μH
Rated current=2.2A
L x W x T :
7.0 x 6.5 x 4.5mm
片式磁珠
MPZ1608Y221BTA00
|Z|=220Ω at 100MHz
Rated current=1.5A
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
片式磁珠
MPZ2012S102ATD25
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=1.5A
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
