EMI抑制电容器
B32924M3335K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C1608X7R1H334K080AC
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
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Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
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Capacitance=3.3nF
Edc=50V
T.C.=X7R
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Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J2X7R2A153K125AA
Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
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CGA4J2X7R2A223K125AE
Capacitance=22nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32924M3225K003
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B32774H8475K000
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B32652A7103K000
0.01uF, 1250V DC
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B32520C0105J000
1uF, 63V DC
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