EMI抑制电容器
B32924P3225M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
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电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA2B3X7R1H104K050BB
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA6P1C0G3A183J250AC
Capacitance=18nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32032A4472K000
0.0047uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32922P3224K000
0.22uF, 350Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32923P3105K000
1.0uF, 350Vrms AC
11m(W) x 20.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923P3225K000
2.2uF, 350Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
直流链路用电容器
B25654A8107K001
100µF, 850V DC
85mm (L) x 47(+2,5)mm (W) x 40.5mm (H)
SMD/SMT 电感器(线圈)
BCM605040-57N
L=57nH
Rated current=70A
L x W x T :
5.8 x 5.0 x 3.8mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLT42-32N
L=32nH
Rated current=124A
L x W x T :
4.2 x 4.2 x 4.2mm
带导线电感器(带导线线圈)
B82144A2222K000
L=2.2μH Rated Current=1.9A
Axial DxL:5.2mmx12mm
