EMI抑制电容器
B32926H3335K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E2C0G1H152J080AA
Capacitance=1.5nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32021H3682M000
0.0068 µF, 300 V rms AC
5.0m(W) x 11.0m(H) x 13.0m(L)
EMI抑制电容器
B32923H3155K000
1.5uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32924A4155K000
1.5uF, 350Vrms AC
18m(W) x 27.5m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制电容器
B32924Q3475M000
4.7uF, 350Vrms AC
21m(W) x 31m(H) x 31.5m(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672L7333K000
0.033uF, 1300V DC
8.5mm(W) x 14.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82442T1104K000
L=100μH
Rated current=0.98A
5.6mm x 5.0mm [EIA 2220]
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82464P4473M000
L=47μH
Rated current=1.8A
10.4mm x 10.4mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF6045NIT-221M-D
L=220μH
Rated current=0.47A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF1608DR12JTD25
L=0.12μH
Rated current=200mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
