EMI抑制电容器
B32021A3222K189
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C2012C0G1E103J060AA
Capacitance=10nF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
General
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0.001uF, 300Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
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B32652A7223K189
0.022uF, 1250V DC
8.5mm(W) x 14.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82422T1682K000
L=6.8μH
Rated current=0.18A
3.2mm x 2.5mm [EIA 1210]
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF6045NIT-470M-D
L=47μH
Rated current=0.97A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MHQ1005075HA56NHTD25
L=56nH
Q=20
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.7mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
VLS3015CX-4R7M-H
L=4.7μH
Rated current=1.15A
L x W x T :
3 x 3 x 1.5mm
