EMI抑制电容器
B32022H3683M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
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积层带导线陶瓷电容器
FA28C0G1H471JNU06
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LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
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General
EMI抑制电容器
B32021H3103M189
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B32022A3683M000
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B32022H3683M189
0.068 µF, 300 V rms AC
9.0m(W) x 17.5m(H) x 18.0m(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32671L9103J000
0.01uF, 1000V DC
5mm(W) x 11mm(H) x 13mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MHQ0603P3N9BT000
L=3.9nH
Q=16
L x W x T :
0.65 x 0.35 x 0.35mm
