积层带导线陶瓷电容器
FA28C0G1H221JNU06
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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| 导线间距(F) |
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| 导线直径(d) |
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电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 |
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| 耐电压 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 绝缘电阻 (Min.) |
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其他
| 焊接方法 |
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| 导线长度/包装种类 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装个数 |
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产品信息
特性图
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积层贴片陶瓷片式电容器
C1005X8R1E223K050BB
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General
积层带导线陶瓷电容器
FA28C0G1H821JNU06
Capacitance=820pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
单端 (径向) 电容器
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EMI抑制电容器
B32021A3102K000
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EMI抑制电容器
B32022H3683M000
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9.0m(W) x 17.5m(H) x 18.0m(L)
EMI抑制电容器
B32022H3683M189
0.068 µF, 300 V rms AC
9.0m(W) x 17.5m(H) x 18.0m(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32671L9103J000
0.01uF, 1000V DC
5mm(W) x 11mm(H) x 13mm(L)


