EMI抑制电容器
B32024J3474K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层带导线陶瓷电容器
FA18C0G1H471JNU00
Capacitance=470pF
Edc=50V
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AEC-Q200
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FA26X7R2A334KNU06
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B32021H3102K000
0.0010 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
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B32024J3474M189
0.47F, 300 V rms AC
16.0m(W) x 32.0m(H) x 31.5m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF10040T-101M-D
L=100μH
Rated current=1A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF2012D47NMTD25
L=0.047μH
Rated current=300mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 0.85mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF2012D68NMTD25
L=0.068μH
Rated current=300mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 0.85mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF2012D82NMTD25
L=0.082μH
Rated current=300mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 0.85mm
