EMI抑制电容器
B32033A4104M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J2X7R1H334M125AA
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32024B3334K000
0.33uF, 300Vrms AC
14m(W) x 24.5m(H) x 31.5m(L)
EMI抑制电容器
B32922C3474M289
0.47uF, 305Vrms AC
9m(W) x 17.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32933A3155K000
1.5uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32933A3155M000
1.5uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
片式磁珠
MMZ2012D121BT000
|Z|=120Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
片式磁珠
MMZ2012D301BT000
|Z|=300Ω at 100MHz
Rated current=400mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
片式磁珠
MMZ2012D800BT000
|Z|=80Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
片式磁珠
MMZ2012R601ATD25
|Z|=600Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
片式磁珠
MMZ2012Y102BT000
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
