EMI抑制电容器
B32911A3333M189
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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B32652A0223J189
0.022uF, 1000V DC
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B32652A2222K000
0.0022uF, 2000V DC
7mm(W) x 12.5mm(H) x 18mm(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32652A4104K000
0.1uF, 400V DC
5mm(W) x 10.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM7054VC-1R0M-D
L=1.0μH
Rated current=16.2A
L x W x T :
7.5 x 7.0 x 5.4mm
MEMS麦克风(麦克风)
ICS-43432
SNR(Nom)=65dBA
LxWxT (mm)=4x3x1
