EMI抑制电容器
B32912B5103M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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0.01 µF, 300 V rms AC
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0.047uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
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B32778J8806K000
80uF, 800V DC
130mm(W) x 24mm(H) x 57.5mm(L)
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B32754C4405J000
4μF, 800V DC
22(W) x 48(H) x 31.5mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
TFM201208BLD-R11MTCA
L=0.11μH
Rated current=5.9A
L x W x T :
2.0 x 1.25 x 0.8mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
VLS6045EX-150M
L=15μH
Rated current=2.5A
L x W x T :
6 x 6 x 4.5mm
