EMI抑制电容器
B32913B5224M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J3X7T2E683K125AA
Capacitance=68nF
Edc=250V
T.C.=X7T
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Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
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Capacitance=2.2μF
Edc=100V
T.C.=X7S
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Soft termination
AEC-Q200
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Capacitance=15μF
Edc=100V
T.C.=X7S
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B32912B5103K000
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B32913B5224M289
0.22uF, 530Vrms AC
10.5m(W) x 18.5m(H) x 26.5m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLF1005GR82JTD25
L=0.82μH
Rated current=40mA
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM5030VC-3R3M-D
L=3.3μH
Rated current=5.1A
L x W x T :
5.3 x 5.1 x 3.0mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM6545VC-100M-D
L=10μH
Rated current=4.4A
L x W x T :
7.0 x 6.5 x 4.5mm
片式磁珠
MMZ1608A222BTD25
|Z|=2200Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
片式磁珠
MMZ1608R102ATD25
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=400mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
