EMI抑制电容器
B32922C3474K189
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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Capacitance=3.3μF
Edc=16V
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LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
CNA6P1X7R1E226M250AE
Capacitance=22μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200
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B32674D6475J000
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22mm(W) x 36.5mm(H) x 31.5mm(L)
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B32672P6105K000
1uF, 630V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)
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B32674Z6475J289
4.7uF, 630V DC
22mm(W) x 36.5mm(H) x 31.5mm(L)
3端子滤波器
YFF15SC1E103MT000N
Insertion Loss=30dB (20MHz to 4000MHz)
Cut-off Freq.=0.6MHz
Rated current=2A
LxWxT: 1x0.55x0.3mm
For Signal Line
NTC传感器装配/系统
B58703M1103A002
Nominal Resistance=10kΩ
Nominal Resistance Tolerance=±1.0%
