EMI抑制电容器
B32922P3154K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
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电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C1608X7R1H154K080AB
Capacitance=0.15μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
C2012X5R1E106K085AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General
片式磁珠
MPZ2012S331ATD25
|Z|=330Ω at 100MHz
Rated current=2.5A
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
双工器(Diplexer)
DPX202690DT-4084A5
Pass Band/Low Band=1710 to 2200MHz
Pass Band/High Band=2496 to 3800MHz
贴片NTC热敏电阻(传感器)
NTCG103JF103FT1
Resistance (at 25°C)=10kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±1%
