EMI抑制电容器
B32923H3414M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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0.22uF, 630V DC
6mm(W) x 14mm(H) x 13mm(L)
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B82464P4472M000
L=4.7μH
Rated current=5.2A
10.4mm x 10.4mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82477G4473M003
L=47μH
Rated current=5A
12.8mm x 12.8mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82477R4104M100
L=100μH
Rated current=3.25A
12.5mm x 12.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM10065VC-4R7M-D
L=4.7μH
Rated current=12.1A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM6545VC-3R3M-D
L=3.3μH
Rated current=8.5A
L x W x T :
7.0 x 6.5 x 4.5mm
片式磁珠
KPZ1608SHR300ATDH5
|Z|=30Ω at 100MHz
Rated current=5A
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.6mm


