EMI抑制电容器
B32923P3225M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
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电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA6P1C0G3A223J250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
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High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
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CGA9Q1C0G3A333J280KC
Capacitance=33nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
PhiCap™ 电容器
B32340C4051A000
Output[50Hz] = 4.2kvar
Output[60Hz] = 5kvar
Rated Voltage = 400VAC
直流链路用电容器
B32714H1505J000
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21.0mm(W) x 31.0mm(H) x 31.5mm(L)
直流链路用电容器
B32774D0505J000
5uF, 1100V DC
19mm(W) x 30mm(H) x 31.5mm(L)
双工器(Diplexer)
DPX202690DT-4084A5
Pass Band/Low Band=1710 to 2200MHz
Pass Band/High Band=2496 to 3800MHz
引线式盘压敏变阻器
B72210S0271K101
Max. Operating Voltage [AC]=275Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=2500A
TMR角度传感器
TAA6140-BAAA
Analog Output 3.0Vp-p (Single-end Sin/Cos, Vcc 5.0V applied)
TSSOP-16
Redundancy=Yes
+2 (Triple)
角度精度（整体温度范围）=+/-0.8 deg
