EMI抑制电容器
B32924H3684K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA2B2C0G1H1R5C050BA
Capacitance=1.5pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E1X7R1V105K080AE
Capacitance=1μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E2NP02A100D080AA
Capacitance=10pF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J1X7R0J106K125AE
Capacitance=10μF
Edc=6.3V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672L0104J000
0.1uF, 1000V DC
9mm(W) x 17.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MHQ0603P15NHTD25
L=15nH
Q=16
L x W x T :
0.65 x 0.35 x 0.35mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLK1005S3N9ST000
L=3.9nH
Q=7
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
应答器线圈
B82450A1084C000
L=1.08mH
Sensitivity=3.4mV/uT
LxWxT :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
信号线的共模扼流圈/滤波器
ACM2012H-381-2P-T05
|Z|=380Ω at 100MHz
Rated current=300mA
L x W x T :
2mm x 1.2mm x 1.2mm
电源线路EMC滤波器
IDQ48010A480V-002-R
DC Input (75 Vdc), Rated Current:10A
PCB Type
