EMI抑制电容器
B32924J3335M000
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尺寸
宽度(w) |
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厚度(h) |
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长度(l) |
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引线间距(e) |
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其他详细信息 |
电气特性
电容 |
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均方根电压 [AC] |
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电压上升率 |
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其他详细信息 |
其他
电介质(类型) |
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设计 |
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抑制级别 |
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AEC-Q200 |
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THB测试性能 |
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备注 |
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封装类型 |
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其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E1C0G2A103J080AC
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4C2C0G1H102J060AA
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
General
AEC-Q200

EMI抑制电容器
B32923H3155M000
1.5uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)

EMI抑制电容器
B32924C3335M000
3.3uF, 305Vrms AC
18m(W) x 27.5m(H) x 31.5m(L)

EMI抑制电容器
B32924J3335M003
3.3uF, 305Vrms AC
18m(W) x 33m(H) x 31.5m(L)

EMI抑制电容器
B32926H3225M000
2.2uF, 305Vrms AC
14m(W) x 25m(H) x 42m(L)

EMI抑制电容器
B32933A3224K000
0.22uF, 305Vrms AC
7m(W) x 16m(H) x 26.5m(L)

缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B0333J000
0.033uF, 1000V DC
7mm(W) x 12.5mm(H) x 18mm(L)

SMD/SMT 电感器(线圈)
B82432T1473K000
L=47μH
Rated current=0.5A
4.5mm x 3.2mm [EIA 1812]

SMD/SMT 电感器(线圈)
MLZ1608A1R5WTD25
L=1.5μH
Rated current=160mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm