EMI抑制电容器
B32933A3224K000
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尺寸
宽度(w) |
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厚度(h) |
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长度(l) |
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引线间距(e) |
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其他详细信息 |
电气特性
电容 |
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均方根电压 [AC] |
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电压上升率 |
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其他详细信息 |
其他
电介质(类型) |
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设计 |
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抑制级别 |
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AEC-Q200 |
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THB测试性能 |
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备注 |
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封装类型 |
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其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E2C0G1H222J080AE
Capacitance=2.2nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200

EMI抑制电容器
B32923H3155M000
1.5uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)

EMI抑制电容器
B32924J3335M000
3.3uF, 305Vrms AC
18m(W) x 33m(H) x 31.5m(L)

缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B0333J000
0.033uF, 1000V DC
7mm(W) x 12.5mm(H) x 18mm(L)

SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF7045T-4R7N-D
L=4.7μH
Rated current=3.6A
L x W x T :
7.2 x 6.9 x 4.5mm

带导线电感器(带导线线圈)
B82111E0000C024
L=56μH Rated Current=1.5A
Axial DxL:6.5mmx26mm

铁氧体磁芯
PC95ELT18X7.3-Z
Planar Cores (ELT Type)
Dimensions(A/B/C)=18/7.3/14.4