EMI抑制电容器
B32924M3185M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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Edc=630V
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B32021H3102M000
0.0010 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
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B32021H3103M000
0.01 µF, 300 V rms AC
6.0m(W) x 12.0m(H) x 13.0m(L)
EMI抑制电容器
B32021H3682M000
0.0068 µF, 300 V rms AC
5.0m(W) x 11.0m(H) x 13.0m(L)
直流链路用电容器
B32714H7205K000
2.0uF, 1500 V DC
21.0mm(W) x 31.0mm(H) x 31.5mm(L)
直流链路用电容器
B32716H7505J000
5.0uF, 1500 V DC
28.0mm(W) x 37.0mm(H) x 42.0mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF6045NIT-221M-D
L=220μH
Rated current=0.47A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLG0603P13NHTD25
L=13nH
Q=14
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm
