EMI抑制电容器
B81123C1102M189
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E2C0G2A182J080AA
Capacitance=1.8nF
Edc=100V
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LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
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CGA4J1X7T0J226M125AC
Capacitance=22μF
Edc=6.3V
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General
AEC-Q200
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B81123C1102M000
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B81123C1102M289
0.001uF, 500Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
直流链路用电容器
B32776T9755K000
7.5uF, 900V DC
24mm(W) x 19mm(H) x 41.5mm(L)
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B82464P4223M000
L=22μH
Rated current=2.5A
10.4mm x 10.4mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM7054VC-220M-D
L=22μH
Rated current=4.0A
L x W x T :
7.5 x 7.0 x 5.4mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
TFM201610ALMA1R0MTAA
L=1μH
Rated current=3.1A
L x W x T :
2 x 1.6 x 1mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
VLS5045EX-220M-H
L=22μH
Rated current=1.8A
L x W x T :
5 x 5 x 4.5mm
