EMI抑制电容器
B81123C1472M000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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Edc=50V
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0.0022uF, 500Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
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B81123C1332M003
0.0033uF, 500Vrms AC
8.5m(W) x 14.5m(H) x 18m(L)
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B81123C1332M189
0.0033uF, 500Vrms AC
8.5m(W) x 14.5m(H) x 18m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLG1005S1N8ST000
L=1.8nH
Q=7
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLG1005S4N3CT000
L=4.3nH
Q=8
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLG1005S4N7CT000
L=4.7nH
Q=8
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLZ2012M150WT000
L=15μH
Rated current=120mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
