缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32653A4225K003
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 直径(d) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 [DC] |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 技术 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E3X7R1H334K080AB
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32923C3225K000
2.2uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923C3225K003
2.2uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923M3225K003
2.2uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 29.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制电容器
B32923P3225K003
2.2uF, 350Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32673Z6225K003
2.2uF, 630V DC
14mm(W) x 29.5mm(H) x 26.5mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF5030NIT-100M-D
L=10μH
Rated current=1.6A
L x W x T :
5.3 x 5 x 2.7mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF7045NIT-220M-D
L=22μH
Rated current=1.7A
L x W x T :
7.4 x 7 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF7045NIT-6R8N-D
L=6.8μH
Rated current=3.1A
L x W x T :
7.4 x 7 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MHQ1005PR56JT000
L=560nH
Q=13
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm
