IGBT/FET用变压器
B78417A2372A003
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尺寸
长度(L) |
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宽度(W) |
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厚度(T) |
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电气特性
巻数比 |
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输出的数量 |
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电感 |
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漏电感 [Max.] |
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耐电压 |
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其他
使用温度范围 |
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AEC-Q200 |
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包装形式 |
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包装个数 |
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重量 |
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产品信息
技术支援工具
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积层带导线陶瓷电容器
FA28X7R1H224KRU00
Capacitance=0.22μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General

缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672Z6683K000
0.068uF, 630V DC
5mm(W) x 10.5mm(H) x 18mm(L)

SMD/SMT 电感器(线圈)
ADL2012-1R5M-T01
L=1.5μH
Rated current=450mA
L x W x T :
2.2 x 1.25 x 1.65mm

引线式盘压敏变阻器
B72220U2381K501
Max. Operating Voltage [AC]=385Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=10000A

电流互感器
B78419A2251A003
Sensed Current=30A max
TR=1:100

电流互感器
B78419A2288A003
Sensed Current=30A max
TR=1:50

IGBT/FET用变压器
B78307A2276A003
Gate-drive transformer, 1 output
100μH, TR=1:1.08

IGBT/FET用变压器
B78307A9741A003
Gate-drive transformer, 1 output
100μH, TR=1:0.76

IGBT/FET用变压器
B78308A2387A003
Gate-drive transformer
100μH, TR=1:1.07

IGBT/FET用变压器
B78308A2484A003
Gate-drive transformer
90μH, TR=1:1.07