IGBT/FET用变压器
VGT10SEE-200S2A5
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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电气特性
| 巻数比 |
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| 输出的数量 |
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| 电感 |
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| 漏电感 [Max.] |
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| 耐电压 [Pri-Sec] |
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| 耐电压 [Coil-Core] |
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其他
| 使用温度范围 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形式 |
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| 包装个数 |
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| 重量 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L3X7R1V225K160AB
Capacitance=2.2μF
Edc=35V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82477P4105M000
L=1000μH
Rated current=0.65A
12.5mm x 12.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
B82477R4105M100
L=1000μH
Rated current=1.05A
12.5mm x 12.5mm
贴片NTC热敏电阻(传感器)
NTCG104ED104DT1SX
Resistance (at 25°C)=100kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±0.5%
IGBT/FET用变压器
B78307A2276A003
Gate-drive transformer, 1 output
100μH, TR=1:1.08
IGBT/FET用变压器
B78307A9741A003
Gate-drive transformer, 1 output
100μH, TR=1:0.76
IGBT/FET用变压器
B78308A2387A003
Gate-drive transformer
100μH, TR=1:1.07
IGBT/FET用变压器
B78308A2461A003
Gate-drive transformer
4.1μH, TR=1:0.22:0.78
IGBT/FET用变压器
B78308A2484A003
Gate-drive transformer
90μH, TR=1:1.07
IGBT/FET用变压器
B78308A2485A003
Gate-drive transformer
90μH, TR=1:1:0.57:2.14
