IGBT/FET用变压器
VGT12EEM-200S1A4
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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电气特性
| 巻数比 |
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| 输出的数量 |
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| 电感 |
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| 漏电感 [Max.] |
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| 耐电压 [Pri-Sec] |
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| 耐电压 [Coil-Core] |
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其他
| 使用温度范围 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形式 |
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| 包装个数 |
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| 重量 |
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积层带导线陶瓷电容器
FA20X7R1H155KNU06
Capacitance=1.5μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA22X7R1E106KNU00
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA22X7R1H475KRU06
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
直流链路用电容器
B32718H8506K000
50.0uF, 800V DC
30.0mm(W) x 45.0mm(H) x 57.5mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF6045T-4R7N-CA
L=4.7μH
Rated current=2.5A
L x W x T :
6.2 x 5.9 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
MHQ1005PR18HT000
L=180nH
Q=18
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm
电流互感器
VST12.6EF-250S1C2
Sensed Current=30A max
TR=1:100
IGBT/FET用变压器
B78307A2276A003
Gate-drive transformer, 1 output
100μH, TR=1:1.08
IGBT/FET用变压器
B78308A2461A003
Gate-drive transformer
4.1μH, TR=1:0.22:0.78
IGBT/FET用变压器
B78308A2485A003
Gate-drive transformer
90μH, TR=1:1:0.57:2.14
