EMI抑制电容器
B32914H4684K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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B32642B0393J000
0.039uF, 1000V DC
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39uF, 630 V DC
6.0mm(W) x 11.0mm(H) x 18.0mm(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642H8183J000
18uF, 2000 V DC
9.0mm(W) x 17.5mm(H) x 18.0mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLZ2012M3R3HTD25
L=3.3μH
Rated current=350mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
引线式盘压敏变阻器
B72214X2421K501
Max. Operating Voltage [AC]=420Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=5000A
NTC传感器装配/系统
NTCDP3SG562HXBBAA
Nominal Resistance=5.6kΩ at 3℃
ABS rasin case type
铁氧体磁芯
B66295G0000X187
Planar Cores (ELP)
Dimensions(A/B/C)=64/10/50
