EMI抑制电容器
B32921C3104M289
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C2012X7R1C335K125AB
Capacitance=3.3μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L3C0G2E223J160AA
Capacitance=22nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制电容器
B32921C3104M003
0.1uF, 305Vrms AC
6m(W) x 12m(H) x 13m(L)
EMI抑制电容器
B32922C3224K189
0.22uF, 305Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32922H3154K000
0.15uF, 305Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
RFI滤波, 平滑, 通用电容器
B32529D3224J289
0.22uF, 250V DC
7.8mm(W) x 13mm(H) x 7.8mm(L)
RFI滤波, 平滑, 通用电容器
B32620A4333K289
0.033uF, 400V DC
6mm(W) x 12mm(H) x 10.3mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
NLCV32T-100K-EFRD
L=10μH
DC Resistance=0.504Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
NLCV32T-1R0M-PF
L=1μH
DC Resistance=0.078Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
VLCF4020T-100MR85
L=10μH
Rated current=1.22A
L x W x T :
4 x 4 x 2mm
