EMI抑制电容器
B32932A3224K289
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 抑制级别 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 备注 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E2NP02A470J080AA
Capacitance=47pF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA3E3X7R1H334K080AB
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
积层带导线陶瓷电容器
FA28X8R1E104KNU00
Capacitance=0.1μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC)
EMI抑制电容器
B32932A3224K000
0.22uF, 305Vrms AC
8.5m(W) x 14.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制电容器
B32932A3224K189
0.22uF, 305Vrms AC
8.5m(W) x 14.5m(H) x 18m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
NL453232T-821J-PF
L=820μH
Q=30
L x W x T :
4.5 x 3.2 x 3.2mm
