缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B4224J000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 直径(d) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 [DC] |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 技术 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C2012X7R1H104K085AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
C3216C0G2J101J060AA
Capacitance=100pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4C4C0G2W471J060AA
Capacitance=470pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4F3C0G2E102J085AA
Capacitance=1nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
圆板型带导线电容器(中高压陶瓷电容器)
CS65-B2GA101KAVKA
Capacitance=100pF
Edc=400Vac
T.C.=B
DxT: 7x7mm ,F: 7.5mm
AEC-Q200
Safety Standard approved
Halogen-free
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672P4225J189
2.2uF, 450V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF6045NIT-221M-D
L=220μH
Rated current=0.47A
L x W x T :
6.3 x 6 x 4.5mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
NLV32T-3R3J-EF
L=3.3μH
Q=30
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
VLS5030EX-100M-D
L=10μH
Rated current=2.1A
L x W x T :
5.3 x 5 x 3.0mm
片式磁珠
MMZ2012R300AT000
|Z|=30Ω at 100MHz
Rated current=1500mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
