积层带导线陶瓷电容器
FA20X7S2A475KRU06
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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| 导线间距(F) |
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| 导线直径(d) |
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电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 |
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| 耐电压 |
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温度特性
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| 耗散因数 (Max.) |
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| 绝缘电阻 (Min.) |
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其他
| 焊接方法 |
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| 导线长度/包装种类 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装个数 |
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产品信息
3rd Party ECAD models
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SnapMagic
特性图表 (这是参考数据，并不保证产品的特性。）
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积层贴片陶瓷片式电容器
CGA4J1X7R1H475K125AE
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
AEC-Q200
积层带导线陶瓷电容器
FA20X7S1H685KRU00
Capacitance=6.8μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA20X7S2A475KRU00
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA20X7T2E334KNU00
Capacitance=0.33μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA26NP02W103JNU06
Capacitance=10nF
Edc=450V
T.C.=NP0
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC)
积层带导线陶瓷电容器
FA26X7R1H475KRU06
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA26X7R2J222KNU00
Capacitance=2.2nF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA26X7S2A335KRU06
Capacitance=3.3μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制电容器
B32921C3103K000
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SLF10145T-100M2R5-PF
L=10μH
Rated current=2.5A
L x W x T :
10.1 x 10.1 x 4.5mm
