积层带导线陶瓷电容器
FA26C0G2A104JRU06
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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| 导线间距(F) |
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| 导线直径(d) |
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电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 |
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| 耐电压 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 绝缘电阻 (Min.) |
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其他
| 焊接方法 |
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| 导线长度/包装种类 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装个数 |
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产品信息
特性图
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积层带导线陶瓷电容器
FA26C0G2A104JRU00
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FA26C0G2J101JNU00
Capacitance=100pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
积层带导线陶瓷电容器
FG26C0G2J152JNT06
Capacitance=1.5nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
General
EMI抑制电容器
B32922H3334M000
0.33uF, 305Vrms AC
9m(W) x 17.5m(H) x 18m(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM10065VC-100M-D
L=10μH
Rated current=8.6A
L x W x T :
10.5 x 10.0 x 6.5mm


