积层带导线陶瓷电容器
FA28C0G1H821JNU00
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尺寸
| 长度(L) |
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| 宽度(W) |
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| 厚度(T) |
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| 导线间距(F) |
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| 导线直径(d) |
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电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 |
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| 耐电压 |
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| 温度特性 |
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| Q (Min.) |
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| 绝缘电阻 (Min.) |
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其他
| 焊接方法 |
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| 导线长度/包装种类 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装个数 |
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产品信息
特性图
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积层带导线陶瓷电容器
FA18C0G2A821JNU00
Capacitance=820pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
SMD/SMT 电感器(线圈)
CLF5030NIT-4R7N-D
L=4.7μH
Rated current=2.1A
L x W x T :
5.3 x 5 x 2.7mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
NLCV32T-100K-EFD
L=10μH
DC Resistance=0.468Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
片式磁珠
MMZ1005A222ETD25
|Z|=2200Ω at 100MHz
|Z|=3000Ω at 1GHz
Rated current=150mA
L x W x T :
1mm x 0.5mm x 0.5mm


