缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B6393J289
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 直径(d) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 [DC] |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 技术 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C2012X5R1E226M125AC
Capacitance=22μF
Edc=25V
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LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
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C2012X7R2A225K125AC
Capacitance=2.2μF
Edc=100V
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LxWxT:2x1.25x1.25mm
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C3216X5R1C476M160AB
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C3216X5R1V226M160AC
Capacitance=22μF
Edc=35V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B6393J000
0.039uF, 630V DC
6mm(W) x 11mm(H) x 18mm(L)
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32642B6393J189
0.039uF, 630V DC
6mm(W) x 11mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
MLZ2012N100LT000
L=10μH
Rated current=110mA
L x W x T :
2 x 1.25 x 1.25mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM3012T-1R5M-LR
L=1.5μH
Rated current=2.9A
L x W x T :
3.2 x 3 x 1.2mm
片式磁珠
HF70ACB201209-T
|Z|=10Ω at 100MHz
Rated current=600mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.9mm


