缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672Z6564K000
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尺寸
| 宽度(w) |
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| 厚度(h) |
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| 长度(l) |
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| 直径(d) |
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| 引线间距(e) |
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| 其他详细信息 |
电气特性
| 电容 |
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| 额定电压 [DC] |
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| 均方根电压 [AC] |
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| 电压上升率 |
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| 其他详细信息 |
其他
| 电介质(类型) |
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| 设计 |
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| 技术 |
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| AEC-Q200 |
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| THB测试性能 |
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| 封装类型 |
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| 其他详细信息 |
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积层贴片陶瓷片式电容器
C2012X7R2A225K125AC
Capacitance=2.2μF
Edc=100V
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LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
积层贴片陶瓷片式电容器
C3216X5R0J107M160AB
Capacitance=100μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
C3225X5R0J107M250AB
Capacitance=100μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
C3225X5R0J107M250AC
Capacitance=100μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L1X7R2A475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
积层贴片陶瓷片式电容器
CGA5L1X8R1E475K160AC
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
缓冲, 谐振电路, 功率因数校正(PFC)用电容器
B32672Z6564K289
0.56uF, 630V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)
SMD/SMT 电感器(线圈)
SLF6028T-100M1R3-PF
L=10μH
Rated current=1.3A
L x W x T :
6 x 6 x 2.8mm
SMD/SMT 电感器(线圈)
TFM252012ALVA2R2MTAA
L=2.2μH
Rated current=2.6A
L x W x T :
2.5 x 2.0 x 1.2mm
片式磁珠
MMZ1608S202ATD25
|Z|=2000Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
